Plasma等離子清洗機化學反應：

　　在化學反應里常用的氣體有氫氣（H2）、氧氣（O2）、甲烷（CF4）等，這些氣體在電漿內(nèi)反應成高活性的自由基，其方程式為：這些自由基會進一步與材料表面作反應。

　　其反應機理主要是利用等離子體里的自由基來與材料表面做化學反應，在壓力較高時，對自由基的產(chǎn)生較有利，所以若要以化學反應為主時，就必須控制較高的壓力來近進行反應。

　　Plasma等離子清洗機物理反應：

　　主要是利用等離子體里的離子作純物理的撞擊，把材料表面的原子或附著材料表面的原子打掉，由于離子在壓力較低時的平均自由基較輕長，有得能量的累積，因而在物理撞擊時，離子的能量越高，越是有的作撞擊，所以若要以物理反應為主時，就必須控制較的壓力下來進行反應，這樣清洗效果較好，為了進一步說明各種設(shè)備清洗的效果。

　　等離子體清洗機的機理，主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達到去除物體表面污漬的目的。就反應機理來看，等離子體清洗通常包括以下過程：無機氣體被激發(fā)為等離子態(tài)；氣相物質(zhì)被吸附在固體表面；被吸附基團與固體表面分子反應生成產(chǎn)物分子；產(chǎn)物分子解析形成氣相；反應殘余物脫離表面。

　　Plasma等離子清洗機清洗技術(shù)的zui大特點是不分處理對象的基材類型，均可進行處理，對金屬、半導體、氧化物和大多數(shù)高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亞胺、聚氯乙烷、環(huán)氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地處理，并可實現(xiàn)整體和局部以及復雜結(jié)構(gòu)的清洗。

　　等離子體清洗還具有以下幾個特點：容易采用數(shù)控技術(shù)，自動化程度高；具有高精度的控制裝置，時間控制的精度很高；正確的等離子體清洗不會在表面產(chǎn)生損傷層，表面質(zhì)量得到保證；由于是在真空中進行，不污染環(huán)境，保證清洗表面不被二次污染。